רקיק SiC 8 אינץ' 500um עובי דמה מוביל ראש דרגת מחקר 4H-N 6H-N HPSI 4H-SEMI 6H-SEMI לשימוש במוליכים למחצה

Name: רקיק SiC 8 אינץ' 500um עובי דמה מוביל ראש דרגת מחקר 4H-N 6H-N HPSI 4H-SEMI 6H-SEMI לשימוש במוליכים למחצה
Brand: Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd.
SKU: 1601123290196
Price: 15 USD
Availability: InStock

אין ביקורות עדיין

Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd. 4 yrs

רקיק SiC 8 אינץ' 500um עובי דמה מוביל ראש דרגת מחקר 4H-N 6H-N HPSI 4H-SEMI 6H-SEMI לשימוש במוליכים למחצה

מאפיינים עיקריים

מאפיינים נוספים

Place of Origin

Shanghai, China

Brand Name

XINKEHUI

Model Number

8inch SiC

Type

SiC Wafer

קוטר

200 מ "מ ± 0.2

עובי

350um

כיוון משטח

4 לכיוון 11-20 +-0.5 °

עומק

1 ~ 1.5 מ "מ

מיקרופ

<2ea/cm2

התנגדות

0.014 ~ 0.028Ω

אפד

פחות 500ea/cm2

חפה

7000ea/cm2

פאד

2000ea/cm2

טוטר

פחות 10um

אריזה ומשלוח

Unit Penjualan:

Item tunggal

Ukuran paket tunggal:

15X16X9 ס"מ

Berat kotor tunggal:

0.100 ק"ג

להציג יותר

זמן אספקה

אפשרויות להתאמה אישית

תיאורי המוצרים מהספק

>= 1 יחידות

‏55.33 ‏₪

וריאציות

סך הקופונים:

לבחור עכשיו

משלוח

אין פתרונות משלוח לכמות שנבחרה כרגע

הגנות על המוצר הזה

תשלומים מאובטחים

כל תשלום שאתם מבצעים ב-Chovm.com מאובטח על ידי הצפנת SSL ופרוטוקולי PCI DSS קפדניים להגנה על נתונים

מדיניות החזרים כספיים ו-Easy Return

דרשו החזר כספי אם הזמנתכם אינה נשלחת, אובדת או מגיעה עם בעיות במוצרים, בתוספת החזרות מקומיות בחינם של מוצרים פגומים

כמות (יחידות)	1 - 20	> 20
זמן משוער (ימים)	30	נתון למשא ומתן